Das neue ISSI Pseudo-SRAM Produktportfolio

Die 4MB IS66WV25616BLL und 8MB IS66WV51216BLL Pseudo-SRAMs sind die ersten Mitglieder des neuen ISSI Pseudo-SRAM Produktportfolio. Diese Pseudo-SRAMs vereinen die besten Eigenschaften eines SRAM und eines DRAM um Entwicklern eine einfache, stromsparende und kosteneffiziente Lösung zu bieten. Mit dem gleichen Pinout eines normalen 4MB und 8MB low power SRAM sind die Pseudo-SRAMs eine idealer Ersatz für 4MB und 8MB SRAMs.
 

Der IS66WV25616BLL und der IS66WV51216BLL sind als 256Kx16 und 512Kx16 organisiert, mit Zugriffszeiten von bis zu 55ns und einer typischen Betriebsspannung von nur 15mA. ISSIs Pseudo SRAMs werden mit 0.14 micron DRAM-Technologie hergestellt und sind für kommerzielle Temperaturintervalle von 0ºC bis +70ºC und industrielle Temperaturbereiche von -40ºC bis +85ºC verfügbar. Die Produkte sind mit Betriebspannungen von 1.8V und 3.0V erhältlich.

Die Pseudo-SRAM Produktlinie ist besonders geeignet für Consumer-, Industrial-, Automotive-, Networking- und Telekommunikationsanwendungen, bei denen eine kostensparende Lösung gefragt ist und eine höhere Standby-Spannung eingerichtet werden kann. 

	IS66WV25616ALL-BLL (498KB)
	IS66WV51216ALL-BLL (498KB)