GLYN – High-Tech Distribution

Die neuen FRAMs von FUJITSU sind jetzt mit 10 Milliarden Lese-/Schreibzyklen ausgestattet. Das entspricht einer Lebensdauer von etwa 300 Jahren bei einem Zugriff alle 10 Millisekunden.

Mit einem schnelleren Start-up und kürzeren Lieferzeiten (maximal 12 Wochen) legt FUJITSU die Messlatte hoch.

FUJITSU ist ein unabhängiger Hersteller mit eigener Produktion. So wird eine gleichbleibend hohe Qualität ohne Qualitätsschwankungen garantiert.

FRAMs vereinen die Vorteile von SRAM und Flash in einem Bauteil. Weltweit produzieren nur 2 Hersteller FRAMs. Der Einsatz von Batterien zur Datenspeicherung entfällt. Auch Wartungen sind nicht länger notwendig.

Warum FRAMs von FUJITSU?

1. 33.000 Mal schnelleres Beschreiben

Ein FRAM kann bis zu 33.000 Mal schneller beschrieben werden als ein EEPROM. Somit ist es der ideale Ersatz!

Es speichert Daten um ein vielfaches schneller als ein Flash-Speicher.

Das spart Ihnen teure Produktionszeit. Bei einer Sektor-Größe von 4 KB braucht das Flash eine Sekunde. Ein FRAM schafft das in 0,6 Millisekunden.

2. Nicht-flüchtiger Speicher

Es ist keine Batterie für den Datenerhalt notwendig. Hohe Programmierspannungen werden ebenfalls nicht benötigt. Das spart Bauteile auf Ihrer Applikation!

3. Bis zu 10 Milliarden Lese- und Schreibzyklen

Das entspricht einer Lebensdauer von etwa 300 Jahren!

Vergleich:

Bei einem Zugriff alle 10 Millisekunden:
FRAM = 10 Milliarden Zyklen (300 Jahre)
EPROM = 1.000.000 Zyklen (9 Monate)
Flash = 100.000 Zyklen (28 Stunden)

4. Strahlungsresistent

FUJITSU FRAMs sind robuster gegen Strahlung als andere Speichertechnologien.
Bei herkömmlichen Speichern werden die Daten durch Gammastrahlen beschädigt.
FRAMs bieten einen sicheren Schutz. Das macht sie auch für durch Strahlung sterilisierte medizinische Produkte interessant.

5. Niedrigster Stromverbrauch

Mit einem FRAM sparen Sie bis zu 10 Mal mehr Strom als bei anderen Speicherformen. Das ist unabdingbar bei stromsparenden Anwendungen und batterie-betriebenen Geräten.

Vergleich:

FRAM
Standby 3 µA
Schreiben 4 mA

SRAM
Standby 2x höher (7µA)
Schreiben 10x höher (40 mA)

Flash
Standby gleich hoch (5 µA)
Schreiben 9x höher (35 mA)

EEPROM
Standby 20 µA
Schreiben 2x höher (8 mA)

FRAMS vereinigen alle Vorteile von nichtflüchtigen Speichern. Bei MCUs mit FRAM entfällt die Unterscheidung zwischen ROM und RAM.
Lange Lebensdauer gepaart mit hoher Geschwindigkeit – beste Referenzen für ihr Produkt.

Folgende Fujitsu Produkte basieren auf FRAM Technologie:

Standalone FRAM
Einzelne FRAM Bausteine mit seriellem oder parallelen Anschluß

RFID FRAM
Kombination von RF-Tags und nichtflüchtigem Speicher

Link: Fujitsu Homepage FRAM