27 % kleiner als D²PAK:
TOSHIBA DTMOS im TOLL-Gehäuse

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Ganz schön TOLL von TOSHIBA.
Idealer MOSFET für schnell schaltende Anwendungen!

Das neue kompakte TO-Leadless-SMD-Gehäuse (TOLL) reduziert die Bauteilgröße um 27 % im Vergleich zu einem herkömmlichen D²Pak-Gehäuse.

Dennoch bietet es eine höhere Strombelastbarkeit, geringeren RDS(ON) und eine verbesserte Wärmeabfuhr.

Reduziert Ein- wie Ausschaltverluste
Dank des zusätzlichen Kelvin-Source Anschlusses lässt sich der Einfluss der parasitären Induktivität des Source-Anschlusses im Gehäuse verringern. Das reduziert die Ein- sowie die Ausschaltverluste. Im Vergleich zum TK090N65Z mit gleicher Spannung und gleichem On-Widerstand im TO-247 ohne Kelvin-Anschluss, hat der TK090U65Z bis zu 68 Prozent weniger Einschaltverluste und um 56 Prozent weniger Ausschaltverluste.

Kombiniert mit der niedrigen Eingangskapazität der DTMOS VI-Technologie ergibt sich ein um 40 % verbesserter FOM Faktor (RDS(ON) x Qgd) gegenüber der vorhergehenden Chip Generation.

Das führt zu einem erheblichen Wirkungsgradgewinn beim Einsatz in modernen, schnell schaltenden  Anwendungen.

Daher sind die Bauteile besonders gut für schnell schaltenden Anwendungen wie z. B. in DC-DC Wandlern, Schaltnetzteilen, PFC- Schaltungen oder Photovoltaik-Inverter geeignet.

Part Number

VDSS (V)

RDS(ON) max (Ω)

ID (A)

Qg typ. (nC)

Ciss (pF)

TK190U65Z (478 KB) 650 0,190 15 25 1370
TK155U65Z (482 KB) 0,155 18 29 1635
TK110U65Z (483 KB) 0,110 24 40 2250
TK090U65Z (484 KB) 0,090 30 47 2780
TK065U65Z (484 KB) 0,065 38 62 3710

 

Muster der DTMOS VI-MOSFETs im TOLL-Gehäuse sind ab Lager GLYN verfügbar.

 

Eine komplette Übersicht der verfügbaren High-Voltage MOSFET mit DTMOS-Technologie finden sie hier.

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