FUJITSUs ReRAM jetzt in Mass-Production:
Braucht 94 % weniger Betriebsstrom als ein vergleichbares EEPROM
Das FUJITSU ReRAM (Resistive Random-Access Memory) ist ein nichtflüchtiger Speicher mit SPI-Interface.
Dank seines geringen Betriebsstroms von lediglich 0,2 mAbeim Lesen @ 5 MHz eignet sich das IC ideal für Anwendungen mit Batterieversorgung, z.B. Wearables oder Medizinprodukte wie Hörgeräte.
Betrieben wird der ReRAM-Chip mit Spannungen von
1,65 bis 3,6 V.
Im Vergleich zu einem gängigen nichtflüchtigen Speicher wie EEPROM oder Flash bietet ReRAM geringeren Stromverbrauch und höhere Lebensdauer. So verfügt das ReRAM über eine „Unlimited Read Endurance“ sowie eine „Write Endurance“ von 1,2 Millionen Zyklen.
Das IC ist im 8-poligen SOP-Package (5,3 mm) verfügbar und damit pinkompatibel zu anderen Speichern wie z.B. EEPROMs und Flash Memories. Der Arbeitstemperaturbereich der ReRAMs liegt bei -40 bis 85 °C.
Die technischen Daten des MB85AS4MT:
- Memory Density (configuration): 4 MBit (512 K words x 8 bits)
- Interface: Serial peripheral interface (SPI)
- Operating power supply voltage: 1.65 V - 3.6 V
- Low power consumption:
- Read operating current: 0.2 mA (at 5 MHz)
- Write operating current: 1.3 mA (during write cycle time)
- Standby current: 10 µA
- Sleep current: 2 µA
- Guaranteed write cycles: 1.2 million cycles
- Guaranteed read cycles: Unlimited
- Write cycle time (256 byte page): 16ms (with 100 % data inversion)
- Data retention: 10 years (up to 85 °C)
- Package: 209 mil 8-pin SOP
Ideale Einsatzgebiete:
- Batterie betriebene Wearables
- Medizinische Produkte wie Hörgeräte
- Sicherheitstechnik, wie elektronische Zahlenschlösser
- IoT Applikationen
- Sensor Applikationen
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