TOSHIBA DTMOS IV MOSFETs:
Um 15 % verringerte Schaltverluste dank neuem Gehäuse

TOSHIBA bietet seine 600 V DTMOS IV MOSFETs jetzt auch im 4-Pin TO-247 Gehäuse an.

Durch den vierten Pin verringern sich die Einschaltverluste EON um bis zu 15 % im Vergleich zur 3-Pin-Lösung. Damit steigt die Schalteffizienz und führt gleichzeitig zu einer geringeren Wärmeentwicklung im Bauteil.

Hiervon profitieren vor allem PFC Applikationen und hochleistungsfähige Schaltnetzteile in hart schaltenden Topologien.

Der zusätzlich eingeführte Pin fungiert dabei als „Kelvin Source“ Anschluss.
Dieser ist ein dedizierter Source Pin für den Gate Treiber des MOSFETs. Mit ihm lassen sich die negativen Einflüsse der parasitären Induktivität in der Source Strecke des MOSFETs reduzieren. 

DTMOS IV MOSFETs basieren auf TOSHIBAs Deep-Trench-Technologie.
Im Vergleich zu herkömmlichen Superjunction MOSFETs anderer Hersteller weisen sie einen geringeren Durchlasswiderstand bei hohen Temperaturen auf. Dies führt zu einer weiteren Wirkungsgradsteigerung unter realen Betriebsbedingungen.

Die Bauteile sind ab sofort bei GLYN in folgenden Leistungsstärken verfügbar:

Weitere Informationen sowie ein aktuelles Angebot erhalten Sie gerne auf Anfrage. 

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