TRANSPHORM GaN Transistor 650 V / 34 A:
Yes, we GaN - Mit nur 47 mOhm RDSon!
GaN FET statt Modul-Lösung:
Bauen Sie künftig alle GaN Vorteile in Ihre Applikationen ein.
TRANSPHORM stellt mit dem TPH3207WS ein 650 V / 34 A GaN FET mit dem derzeit weltweit geringsten RDSon-Wert von nur 47 mΩ vor.
Zusammen mit dem extrem niedrigen Qrr-Wert von lediglich 175 nC reduzieren Sie Ihr System-Volumen um bis zu 50 %!
Der TPH3207WS verbessert Zuverlässigkeit, Performance und die Leistungsdichte Ihres Systems. Die einfache Handhabung des GaN Bauteils wird durch die interne Kaskaden-Struktur ermöglicht.
Aktuell umfasst das GaN Line-Up des Herstellers bereits 15 Bauteile mit unterschiedlichen Stromstärken und Gehäuseformen
Die technischen Daten in Kurzform zusammengefasst:
- 650 V mit 34 A @ 100°C
- Geringster RDSon-Wert von 47 mΩ
- TO-247 Gehäuse
Hier finden Sie das Datenblatt sowie die aktuelle Produktbroschüre zum Download:
- Datenblatt TPH3207WS (918 KB)
- Transphorm Broschüre (4,96 MB)
Mehr über die Vorteile der GaN Technologie verraten wir Ihnen auf der PCIM 2016 in Halle 9, Stand 9-301 (GLYN).
Sie wünschen lieber eine Beratung bei Ihnen im Hause?
Sehr gerne!
Lassen Sie uns einfach telefonisch oder per Email einen Termin vereinbaren.
Analog, Power & Sensors
- Tel.
- +49 6126 590-388
- Fax
- +49 6126 590-188
- aps@glyn.de