TRANSPHORM GaN Transistor 650 V / 34 A:
Yes, we GaN - Mit nur 47 mOhm RDSon!

GaN FET statt Modul-Lösung:
Bauen Sie künftig alle GaN Vorteile in Ihre Applikationen ein.

TRANSPHORM stellt mit dem TPH3207WS ein 650 V / 34 A GaN FET mit dem derzeit weltweit geringsten RDSon-Wert von nur 47 mΩ vor.

Zusammen mit dem extrem niedrigen Qrr-Wert von lediglich 175 nC reduzieren Sie Ihr System-Volumen um bis zu 50 %!

Der TPH3207WS verbessert Zuverlässigkeit, Performance und die Leistungsdichte Ihres Systems. Die einfache Handhabung des GaN Bauteils wird durch die interne Kaskaden-Struktur ermöglicht.

Aktuell umfasst das GaN Line-Up des Herstellers bereits 15 Bauteile mit unterschiedlichen Stromstärken und Gehäuseformen 

 

Die technischen Daten in Kurzform zusammengefasst:

  • 650 V mit 34 A @ 100°C
  • Geringster RDSon-Wert von 47 mΩ
  • TO-247 Gehäuse


Hier finden Sie das Datenblatt sowie die aktuelle Produktbroschüre zum Download:

Mehr über die Vorteile der GaN Technologie verraten wir Ihnen auf der PCIM 2016 in Halle 9, Stand 9-301 (GLYN).

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