Ideal für Schnellladegeräte, Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler:
TOSHIBAs 100 V MOSFETs im SOP Advance Gehäuse
TOSHIBA erweitert seine 100 V MOSFET-Serie um zwei Bauteile mit geringem ON-Widerstand:
- TPH6R30ANL mit 45 A mit 6,3 mΩ RDS(ON)
- TPH4R10ANL mit 70 A und 4,1 mΩ RDS(ON)
Beide Derivate unterstützen 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung. Das ermöglicht die pufferlose Ansteuerung vom Controller, was den Energiebedarf senkt.
Die MOSFETS sind für Anwendungen wie Schnellladegeräte, Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler ausgelegt.
Gefertigt werden diese Bauteile im TOSHIBA U-MOS VIII-H Trench-Prozess. Dadurch werden geringe Durchlasswiderstände sowie schnelles Schaltverhalten erreicht.
Passt in jede noch so kleine Applikation
Geliefert werden die MOSFETs im SOP-Advance Gehäuse mit 5 x 6 mm Grundfläche und einer Bauhöhe von nur 0,95 mm.
Höhere System-Effizienz
Durch den verbesserten FoM-Faktor (Figure-of-Merit) wird die Leistungsfähigkeit in Schaltanwendungen gesteigert. Die geringe Ausgangsladung reduziert Ausgangsverluste, was zu einer höheren Systemeffizienz beiträgt.
Beide Bauteile sind in Musterstückzahlen ab Lager GLYN verfügbar.
Die genauen technischen Daten können sie hier einsehen:
Fragen Sie uns direkt auf der PCIM 2017 in Halle 9, Stand 9-301.
Unsere Spezialisten geben gerne weitere Auskünfte.