Neu von TOSHIBA zur PCIM 2018:
Low-Voltage MOSFETS im wettable Flank Gehäuse
Moderne elektronische Geräte sollen immer kleiner und leistungsfähiger werden.
Dadurch wächst der Bedarf an MOSFETs in Surface-Mount Gehäusen.
Um einen möglichst großen Chip im Gehäuse unterzubringen, sind die Pins dieser Bauteile in der Regel kurz und flach ausgeführt. Das zuverlässige Verarbeiten solcher Gehäuse stellt allerdings höhere Ansprüche an den Lötprozess.
Um diese Herausforderungen zu meistern, hat TOSHIBA das SOP Advance Gehäuse mit benetzbaren Anschluss-Pins entwickelt. Die Spitzen der Pins sind teilweise beschichtet, um eine größere Lötfläche zu ermöglichen. Das DSOP Advance(WF) ermöglicht weiterhin eine automatisierte visuelle Inspektion der Lötstelle, was den gestiegenen Qualitätsanforderungen gerecht wird.
Die neuen MOSFETs werden im Trench U-MOS IX-H Prozess der neunten Generation gefertigt. Sie bieten einen Durchlasswiederstand von nur 1,14 mΩ bzw. 0,79 mΩ. Beide Bauteile sind mit einer Drain-Source-Spannung (UDSS) von 40 V spezifiziert und können Drain-Ströme (ID) von 120 A bzw. 150 A verarbeiten. Der U-MOS IX-H Aufbau senkt zudem das Schaltrauschen und verringert somit elektromagnetische Störungen (EMI).
TOSHIBA hat bereits die Massenproduktion gestartet. Beide Bauteile sind auch mit Automotive Zertifizierung (AEC-Q101) erhältlich.
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Part |
VDSS (V) |
ID(A) |
RDS(ON) max. (mΩ) |
Gehäuse |
AECQ-101 |
Datenblatt |
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@VGS=6V |
@VGS=10V |
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TPH1R104PB |
40 |
120 | 1,96 | 1,14 |
SOP Advance (WF) |
optional |
TPH1R104PB |
|
TPHR7904PB |
40 | 150 | 1,30 | 0,79 |
SOP Advance (WF) |
optional |
TPHR7904PB |
Weitere Informationen erhalten Sie gerne auf unserem Messestand zur PCIM 2018, Halle 9, Stand 9-301.
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