Immer schön COOL bleiben! 650 V Superjunction MOSFETs mit kleinstem RDS(ON)
Der TK040N65Z ist das erste Bauteil aus der neuen DTMOS VI Serie von TOSHIBA.
Bei einer Sperrspannung von 650 V bietet er den äußerst geringen RDS(ON)max von nur 0,04 Ω.
Kombiniert mit der niedrigen Eingangskapazität ergibt sich ein um 40 % verbesserter FOM Faktor (RDS(ON) x Qgd) gegenüber der Vorgänger Generation.
Das führt zu einem erheblichen Wirkungsgradgewinn beim Einsatz in modernen, schnell schaltenden Netzteilen, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und PFCs.
Dadurch können die Kühlkörper der Netzteile verkleinert bzw. mehr Leistung bei gleicher Größe bereitgestellt werden.
Der TK040N65Z im TO-247 Gehäuse ist sofort ab Lager GLYN verfügbar.
Zwei weitere Bauteile mit einem RDS(ON)max von 0,09 Ω in einem vollisolierten TO-220 Gehäuse
(TO-220SIS) und einem TO-247 mit zusätzlich herausgeführtem Kelvin Source Pin (TO-247-4L) sind in Kürze verfügbar.
| Artikel | VDSS(V) | ID(A) |
RDS(ON)max.(Ω) |
Gehäuse | Datenblatt |
|
TK040N65Z |
650 | 57 | 0,04 |
TO-247 |
|
|
TK090A65Z |
30 | 0,09 |
TO-220SIS |
||
|
TK090Z65Z |
30 | 0,09 |
TO-247-4L |
Eine Übersicht der aktuellen Super-Junction MOSFETs mit 500 V, 600 V, 650 V und 800 V finden Sie hier:
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