Höhere Speicherdichte dank BiCS FLASH™ 3D Technologie:
KIOXIA e-MMC für die Industrie

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Der Bedarf an höheren Speichergrößen wächst in allen Bereichen der Consumer- und Industrie-Märkte. Um hier kontinuierlich wettbewerbsfähige Produkte zu entwickeln, steigt die Nachfrage für kosten- und technologie-optimierte Speicherlösungen.

KIOXIA, vormals TOSHIBA Memory, bietet nun seine 3D Flash-Speichertechnologie BiCS FLASH™ in seinen e-MMC Speichersystemen an. Ausgeführt in der zuverlässigen Charge-Trap Zellstruktur erhalten Sie eine langfristig verfügbare wie kostengünstige Industrie-Lösung für die JEDEC-standardisierte eMMC Schnittstelle.

BiCS FLASH™ speichert hohe Datenmengen auf effiziente Weise

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Als vertikal gestapelter dreidimensionaler (3D) Flashspeicher ausgeführt, verfügt BiCS FLASH™ über eine weitaus höhere Speicherdichte auf dem Die als der einst hochmoderne 2D NAND-Flashspeicher.

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Die Abstände zwischen den Speicherzellen sind bei BiCS FLASH-Speicher wesentlich größer als bei 2-D-NAND-Flashspeicher. Im Rahmen einer Single-Shot-Programmiersequenz wird so die Programmier-geschwindigkeit erhöht und die übertragene Datenmenge gesteigert.

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Die großen Abstände zwischen den Speicherzellen bei der BiCS FLASH-Technologie reduzieren die Zellkopplung. Sie erhöhen die Zuverlässigkeit gegenüber dem 2-D-NAND-Flashspeicher.

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BiCS FLASH-Technologie reduziert den Stromverbrauch pro Programmierdateneinheit, indem die Datenmenge für eine Single-Shot-Programmiersequenz (gleichbedeutend mit einer höheren Programmiergeschwindigkeit) gegenüber dem 2-D-NAND-Flashspeicher gesteigert wird.

Die Vorteile der Charge Trap Struktur

Herkömmliche NAND-Flash e-MMCs verwenden Floating-Gate-Zellen zur Datenspeicherung. Um eine höhere Lebensdauer und Skalierbarkeit des Speichers zu erreichen, setzt KIOXIA auf Charge-Trap-Zellen. Speicher in Charge-Trap-Technologie arbeiten deutlich zuverlässiger. Zusätzlich bieten sie eine höhere Speicherdichte pro Chipfläche. Sie verbrauchen weniger Energie und sind schneller zu programmieren.

Ideal also für den Einsatz in industriellen Applikationen.

Gesamtübersicht der KIOXIA e-MMCs basierend auf der 2D NAND-Technologie und der neuen BiCS FLASH™ 3D Technologie

Consumer Grade Temperature

Process Capacity Part Number e-MMC Version Max Data Rate (MB/s) Supply Voltage Operating Temperature
(℃)		 Package Size
(mm)
VCC (V) VCCQ (V)
FG NAND 4GB THGBMNG5D1LBAIT 5.0 400 2.7 to 3.6

1.70 to 1.95,
2.7 to 3.6

 -25 to 85 11.0x10.0x0.8
THGBMNG5D1LBAIL 11.5x13.0x0.8
8GB THGBMJG6C1LBAIL 5.1
16GB THGBMJG7C1LBAIL
32GB THGBMJG8C2LBAIL
BiCS 16GB THGAMRG7T13BAIL 5.1 400 2.7 to 3.6 1.70 to 1.95 -25 to 85 11.5x13.0x0.8
32GB THGAMRG8T13BAIL
64GB THGAMRG9T23BAIL
128GB THGAMRT0T43BAIR 11.5x13.0x1.0

Industrial Grade Temperature

Process Capacity Part Number e-MMC Version Max Data Rate (MB/s) Supply Voltage Operating Temperature
(℃)		 Package Size
(mm)
VCC (V) VCCQ (V)
FG NAND 8GB THGBMJG6C1LBAU7 5.1 400 2.7 to 3.6

1.70 to 1.95,
2.7 to 3.6

 -40 to 105(1) 11.5x13.0x1.0
16GB THGBMJG7C2LBAU8 11.5x13.0x1.2
32GB THGBMJG8C4LBAU8
64GB THGBMJG9C8LBAU8

Note (1) : Tc=115°C max.

Das ist KIOXIA in seinem neuen Video –
The Future of Memories

 Weitere Informationen zu den neuen e-MMCs sind auf Anfrage bei KIOXIA Distributor GLYN erhältlich.

Industrial Memory Solutions

Tel.
+49 6126 590-350
Fax
+49 6126 590-139
ims.sales@glyn.de

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