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Für ein homogenes Speicherdesign in einem System-on-Chip (SoC).

KIOXIAs neue Produktreihe in 24 nm Serial NAND Flash Technologie unterstützt SPI-Schnittstellen bis zur Quad-Geschwindigkeit.

Die neue Generation bietet eine höhere Taktrate sowie eine 4-mal höhere Programmiergeschwindigkeit. Sie bietet erstmalig auch die 8-Gbit Speicherdichte.

Verpackt ist der Serial NAND-Flash in einem kleinen WSON-Gehäuse (6 x 8 mm). Erweiterte Funktionen wie optionale ECC-Unterstützung und Sicherheitsfunktionen sind bereits integriert. Die Bausteine arbeiten im industriellen Temperaturbereich von -40 ⁰C bis 85 ⁰C.

Alle Vorteile zusammengefasst:

• Kosten-optimierte 24 nm Technologie
• Lange Data Retention dank Single-Level-Cell Technologie (SLC) und performante Schreib-/Löschfähigkeit
• Platzsparendes Gehäuse (6 x 8 mm)
• Standardisierte extremschnelle serielle Schnittstelle (QSPI)
• Bedarf keinen Einsatz von ECC auf der Hostseite