Niederspannungsspeicher ab 1,1 V:
Das ISSI LPDDR4 und LPDDR4X SDRAM
Ein speziell entwickelter SDRAM für den Einsatz in ultraflachen und mobilen Geräten.
Die ISSI LPDDR4 und LPDDR4X SDRAMs sind sogenannte „Niederspannungsspeicher“, die mit 1,1 V bzw. 1,8 V Versorgungsspannung auskommen. Sie sind in den Kapazitäten 2 Gb, 4 Gb und 8 Gb erhältlich.
Der niedrige Energiebedarf dieser Derivate macht sie zum idealen Speicher für mobile Anwendungen. Darüber hinaus sind Sie für energie-sensible Applikationen geeignet, bei denen sich durch Limitierung der Energieversorgung entscheidende funktionale Einschränkungen ergeben würden. Für den Automobilbereich ist der LPDDR4-Speicher dank der höheren Bandbreite und der energetischen Vorteile ebenfalls bestens geeignet. Hier wird er beispielsweise in Infotainmentsystemen oder Fahrerassistenzsystemen eingesetzt.
Zuverlässiger Hochgeschwindigkeitsbetrieb
Beide ISSI SDRAMs verwenden eine Architektur mit doppelter Datenrate, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erzielen. Die Architektur mit doppelter Datenrate ist eine 16n-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die zum Übertragen von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus ausgelegt ist. Diese Geräte bieten vollständig synchrone Operationen, die sowohl auf der steigenden als auch auf der fallenden Flanke des Takts operieren. Um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen, werden die Datenpfade intern weitergeleitet und vorab abgerufen.
Taktfrequenzbereich bis 1.600 MHz
Die LPDDR4 und LPDDR4X SDRAMs bieten einen Taktfrequenzbereich von 10 MHz bis 1.600 MHz sowie Datenraten von bis zu 3.200 Mbit/s pro E/A. Diese Geräte sind mit acht internen Bänken pro Kanal für den gleichzeitigen Betrieb konfiguriert. Sowohl der LPDDR4 als auch der LPDDR4X bieten programmierbare Lese- und Schreiblatenzen in programmierbaren und "on-the-fly"-Burstlängen.
Spezifikationen / Features:
- Niederspannung
- LPDDR4: 1,8 V
- LPDDR4X: 1,1 V
- Niederspannungs-E/A
- LPDDR4: 1,1 V
- LPDDR4X: 0,6 V
- Frequenzbereich: 10 MHz bis 1600 MHz
- E/A-Datenraten: 20 Mbit/s bis 3200 Mbit/s
- 16n-Prefetch-DDR-Architektur
- Acht interne Blöcke pro Kanal für gleichzeitigen Betrieb
- Gleichzeitige Befehls-/Adresseingänge mit doppelter Datenrate
- mobile Funktionen für geringeren Stromverbrauch
- Programmierbare und On-the-Fly-Burstlänge (BL=16 oder 32) Programmierbare Latenzen beim Lesen und Schreiben
- On-Chip-Temperatursensor für effiziente Selbstauffrischungssteuerung
- ZQ-Kalibrierung
- Einstellbare Antriebsstärke
- Selbstauffrischung von Teilarrays (PASR)
- 10 mm x 14,5 mm BGA-200-Gehäuse
- Taktfrequenz: 1,6 GHz
- Speicherschnittstelle: parallel
- Betriebstemperatur: -40 °C bis 125 °C
- Gehäuse: 200-TFBGA bis 200-WFBGA
- Technologie: SDRAM-Mobilgeräte LPDDR4
Weitere technische Informationen und Freigabemuster halten wir auf Anfrage für Sie bereit.
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