SiC-MOSFETs der 3. Generation –
3 Vorteile mit Spar-Potential…

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Sparsamer Umgang mit Energie, Energie-Effizienz, Energiewende – das sind derzeit Hauptthemen, die uns beruflich wie privat sehr stark beschäftigen. Erneuerbare Energien werden eine Hauptsäule in unserem künftigen Energie-Versorgungsmix einnehmen, da sind wir uns alle sicher. Und energieeffiziente Geräte sind dafür ein „Muss“.

Um höchstmögliche Wirkungsgrade zu erreichen, werden zukünftig ganz sicher hochmoderne SiC MOSFETs in vieler dieser Applikationen verbaut. Und auch in kleineren Systemen können Sie viel höhere Energiedichten mit ihnen umsetzen.

Bauen Sie mit der neuen 3. Generation SiC MOSFETs von TOSHIBA gleich 3 Vorteile in Ihre Applikation ein:

1. Niedrigere Diodenverluste
TOSHIBAs neuste SiC-MOSFET Generation hat eine Bauelemente-Struktur, bei der eine Schottky-Barrier-Diode (SBD) parallel zu der parasitären PN-Diode angeordnet wurde. Damit sinkt die Durchlassspannung auf nur 1,35 V typisch. Die bekannten Mitbewerber liegen hier in einem Bereich von 3,2 bis 4,6 V.

2. Geringere Treiberverluste
Durch die neue Chipstruktur konnte auch der Figure-of-Merit (FOM), also der Wert Ron*Qgd, im Vergleich zu der 2. Generation um 80 % reduziert werden. Damit bietet TOSHIBA den z. Zt. niedrigsten Wert am Markt.
Der Vorteil daraus, Treiberverluste werden reduziert und die Schaltgeschwindigkeit wird erhöht. Das führt zu einem erheblichen Wirkungsgradgewinn beim Einsatz in modernen, schnell schaltenden Anwendungen.

3. Sichere Ansteuerung
Die TOSHIBA Bauteile der 3. Generation haben im Vergleich zu den SiC-MOSFETs anderer Hersteller mit -10 bis 25 V den weitesten Gate-Source-Spannungsbereich.
Zusammen mit der geringeren Spanne der Schwellspannung Vth von 3 V bis 5 V schützt das vor ungewollten Schalten aufgrund von Gate-Spannungsschwankungen oder Rauschen.

Daher kommt das Design des Gate Treibers mit weniger Bauteilen aus, was Kosten reduziert und dennoch ein robustes Schaltverhalten ermöglicht.

Damit sind die Bauteile hervorragend geeignet zur Anwendung in z. B. Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Fotovoltaik-Wechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV).

Part Number

VDSS
(V)

RDS(ON) typ
(Ω)

ID
(A)

Qg typ
(nC)

Qgd typ
(nC)

Datasheet

TW107N65C

650

0,107

20

21

2,3

TW107N65C

TW083N65C

0,083

30

28

3,9

TW083N65C

TW048N65C

0,048

40

41

6,2

TW048N65C

TW027N65C

0,027

58

65

10

TW027N65C

TW015N65C

0,015

100

128

19

TW015N65C

TW140N120C

1200

0,140

20

24

4,2

TW140N120C

TW060N120C

0,060

36

46

7,8

TW060N120C

TW045N120C

0,045

40

57

8,9

TW045N120C

TW030N120C

0,030

60

82

13

TW030N120C

TW015N120C

0,015

100

158

23

TW015N120C

Die Bauteile sind als Muster sofort ab Lager GLYN erhältlich.

Stay tuned

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Im ersten Quartal 2023 wird die Familie der 3. Generation SiC MOSFETs um weitere Bauteile im TO-247-4 Gehäuse erweitert.

Durch den zusätzlichen Kelvin-Source Anschluss lässt sich der Einfluss der parasitären Induktivität des Source-Anschlusses verringern.
Damit werden die Ein- sowie die Ausschaltverluste noch weiter reduziert.

 

 

 

 

 

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