Hochfrequenz Transistoren
RA60H1317M1B-501
- Bezeichnung:
- RF MOSFET-Module 12.5V 60W;(136-174MHz) - 2 gate terminals;H2M-Pkg. - Metal Cap
- f min [MHz]:
- 136
- f max [MHz]:
- 174
- Vdd typ [V]:
- 12,5
- Pout min [W]:
- 60
- Supplier Package Code:
- H2M