Die Macht intuitiver GUIs auf STM32 (Teil 2) +++ SILICON LABS goes Arduino +++ 650 V Superjunction MOSFETs

Höhere Effizienz für Netzteile!
650 V Superjunction MOSFETs jetzt mit High-Speed Dioden

Die neuen 650-V-Superjunction MOSFETs TK042N65Z5 und TK095N65Z5 von TOSHIBA bieten starke Vorteile für die Effizienz von Netzteilen.

Drei wichtige Vorteile, warum Sie die neuen MOSFETs in Schaltnetzteilen einsetzen sollten:

• Reduzierung der Sperrverzögerungszeit und -ladung:
  Gerade in Anwendungen, die 24/7 laufen, wie z. B. Rechenzentren, ist eine hohe Effizienz gefordert.
  
  Die Integration von High-Speed-Dioden (HSD) in diese MOSFETs führt zu einer erheblichen Reduktion der Sperrverzögerungszeit – 65 % im Vergleich zu den Standard-Typen. Zudem ist die Sperrverzögerungsladung (Qrr) um 88 % reduziert. Diese Verbesserungen minimieren die während des Umschaltvorgangs entstehenden Verluste.

• Erhöhung der Leistungseffizienz:
  Der niedrigere Wert der „On-Resistance × Gate-Drain Charge“ (R_DS(ON) * Qgd), der um etwa 72 % verbessert wurde, resultiert in einer geringeren Leistungsdissipation während des Betriebs. In einer 1,5-kW-LLC-Schaltung konnte beispielsweise eine Effizienzsteigerung von 0,4 % im Vergleich zu vorherigen Modellen erzielt werden.
  
  Diese Steigerung mag zunächst gering erscheinen. Jedoch kann sie in groß angelegten Anwendungen und über längere Betriebszeiten zu erheblichen Energieeinsparungen führen.
  
  
• Verbesserte Leistungsfähigkeit in anspruchsvollen Anwendungen:
  Die MOSFETs sind in der Lage, hohe Drain-Ströme (bis zu 55 A bzw. 29 A) zu bewältigen. Sie sind dabei in einem robusten TO-247-Gehäuse untergebracht, das eine effektive Wärmeableitung gewährleistet.
  
  Dies ermöglicht ihren Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen wie Servernetzteilen und Photovoltaik-Systemen, die eine zuverlässige und dauerhafte Leistung erfordern. TOSHIBA bietet zudem ein Referenzdesign für ein 1,6 kW Servernetzteil, was die Integration dieser MOSFETs in spezifische Anwendungen nochmals erleichtert.

Kurzes Fazit:
Zusammengefasst bieten diese MOSFETs verbesserte elektrische Eigenschaften, die zu einer höheren Gesamteffizienz von Netzteilen führen. Sie supporten Anwender dabei, energieeffizientere und leistungsfähigere Systeme zu entwickeln.

TOSHIBA wird seine Produktpalette der DTMOS-VI MOSFETs in Kürze um weitere Typen im TO-220- und TO-220SIS-Gehäusen für die Durchsteckmontage sowie in TOLL- und DFN8x8-Gehäusen für die SMD-Montage erweitern.

Die Übersicht der aktuellen Super-Junction MOSFETs mit 500 V, 600 V, 650 V und 800 V finden Sie hier:

Weitere Informationen und Antworten auf Ihre Fragen geben wir Ihnen gerne persönlich. 

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