Höhere Effizienz für Ihre Netzteile mit 150 V MOSFETs +++ YAMAICHI Online-Konfigurator +++ Mit de next-TGU8-EZBOX Systemgrenzen durchbrechen
Höhere Effizienz für Ihre Netzteile!
Diese 150 V MOSFETs empfehlen sich für Stromversorgungen mit Synchrongleichrichtung
Die neuen 150-V-MOSFETs TPH1100CQ5 und TPH1400CQ5 von TOSHIBA bieten erhebliche Vorteile für die Effizienz von Stromversorgungen mit Synchrongleichrichtung.
Schnellere Schaltzeiten und geringere Verluste, Reduzierung von Spannungsspitzen und hohe Leistungsfähigkeit zeichnen die neuen Low-Voltage MOSFETs aus.
Welche Vorteile nutzen Ihnen konkret bei der Entwicklung von Schaltnetzteilen?
In unserem technischen Interview stellt Ihnen GLYNs MOSFET Experte Stefan Besier die beiden MOSFETs kurz vor und beantwortet wichtige Fragen.
GLYN: „Hallo Stefan, du arbeitest bereits seit 32 Jahren als MOSFET Experte in unseren Reihen. Kunden schätzen deinen großen Erfahrungsschatz. Deshalb darfst du heute in unserem Interview etwas technischer werden. Was sind die Vorteile der beiden neuen MOSFETs, von denen unsere Kunden besonders profitieren?“
Stefan Besier: Zunächst einmal vielen Dank für die Vorschusslorbeeren. Leistungselektronik war schon während meiner Studienzeit eine besondere Leidenschaft von mir.
Und gerade MOSFETs können sich beim Schalten schnell zu einer sehr heißen Angelegenheit entwickeln. Aber diese beiden MOSFETs arbeiten in ihrer Anwendung in Schaltnetzteilen sehr cool.“
GLYN: „Der Hersteller verspricht eine Reduzierung der Sperrverzögerungszeit und -ladung. Wie hat man dies bei TOSHIBA erreicht?“
Stefan Besier: „Die intrinsischen High-Speed Dioden bieten ein verbessertes Reverse-Recovery-Verhalten, das für Anwendungen mit Synchrongleichrichtung entscheidend ist. Im Fall des TPH1400CQ5 wurde die Rückwärts-Erholungsladung (Qrr) um ca. 73 % auf 27nC (typ.) reduziert. Die Rückwärts-Erholungszeit (trr) ist mit 36 ns (typ.) ca. 45 % schneller als beim bestehenden TPH1400CQH von TOSHIBA. Beide Typen bieten die gleiche Sperrspannung und einen identischen RDS(ON). Der TPH1400CQ5 wird in Anwendungen mit Synchrongleichrichtung eingesetzt, um die Verlustleistung von Schaltnetzteilen zu reduzieren und den Wirkungsgrad zu verbessern. Wird der Baustein in einer Schaltung eingesetzt, die nicht im Reverse-Recovery Modus arbeitet, entspricht die Verlustleistung der des TPH1400CQH mit Standard-Diode.“
GLYN: „Was kannst du uns über die Reduzierung der Spannungsspitzen sagen?“
Stefan Besier: „Beim Einsatz in einer Schaltung, die im Reverse-Recovery-Modus arbeitet, reduzieren die neuen Produkte die Spannungsspitzen, die beim Schalten entstehen. Damit tragen sie zur Verbesserung der EMI-Eigenschaften des Designs bei und reduzieren den Bedarf an externer Filterung.
Erreicht wird die durch die Low-Spike-Technologie der U-MOS X-H Serie.
Bei dieser werden die parasitären Kapazitäten und Widerstände des MOSFET-Chips so modifiziert, dass sie einen Snubber-Glied bilden.
Da sich der Snubber direkt auf dem MOSFET-Chip befindet, werden Spannungsspitzen effektiv unterdrückt, ohne dass nennenswerte zusätzliche Verluste entstehen.
GLYN: „TOSHIBA spricht von hoher Leistungsfähigkeit in anspruchsvollen Anwendungen. Wie dürfen das unsere Anwender verstehen?“
Stefan Besier: „Diese MOSFETs sind in der Lage, hohe Drain-Ströme (bis zu 49 A bzw. 32 A) zu bewältigen. Dabei haben sie einen RDS(ON) von 11 mΩ (TPH1100CQ5) bzw. 14 mΩ (TPH1400CQ5). Beide sind dabei in einem SOP Advanced(N)-Gehäuse untergebracht.
Für Anwendungen, die noch mehr Leistung erfordern, bieten wir mit dem TPH9R00CQ5 eine Type mit einem RDS(ON) von nur 9 mΩ an. Dieser hat dann eine Strombelastbarkeit von 64 A.
Die Kupfer-Verbinder des Chips sorgen für einen geringen Übergangswiderstand und eine gute Wärmeabfuhr.
Wie alle Bauteile der U-MOS X-H Serie können auch unsere beiden Neuzugänge bis zu einer Chip-Temperatur von 175 Grad Celsius betrieben werden.
Die UMOS X-H Serie umfasst aktuell fünf Derivate mit 150 V Sperrspannung. Drei von Ihnen haben die speziell getunte High-Speed Diode.
Weitere Typen, auch mit anderen Sperrspannungen, werden folgen.
Artikel |
VDSS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) (Ω) max |
trr (ns) |
Gehäuse |
Datenblatt |
TPH9R00CQ5* |
150 |
64 |
0,009 |
40 |
SOP Advance(N) |
TPH9R00CQ5* |
TPH9R00CQH |
64 |
0,009 |
72 |
TPH9R00CQH | ||
TPH1100CQ5* |
49 |
0,0111 |
38 |
TPH1100CQ5* | ||
TPH1400CQ5* |
32 |
0,0141 |
36 |
TPH1400CQ5* | ||
TPH1400CQH |
32 |
0,0141 |
66 |
TPH1400CQH |
*mit High-Speed Diode
Alle Bauteile sind in Produktion. Muster können bei Bedarf kurzfristig zur Verfügung gestellt werden.
GLYN: „Vielen Dank für das interessante technische Gespräch und bleibe uns mit deiner Expertise noch lang erhalten!“
Weitere Informationen und Antworten und gezielte Antworten auf Ihre aktuelle Applikationsherausforderung geben wir Ihnen gerne persönlich.
Starten Sie jetzt gemeinsam mit GLYN-SUPPORT die Entwicklung Ihrer nächsten Schaltnetzteile.