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5 Vorteile für schnell schaltende Anwendungen:
TOSHIBA 600 V Superjunction-MOSFET Im TOLL-Gehäuse
TOSHIBA stellt eine neue Serie von n-Kanal-Leistungs-MOSFETs vor. Das erste Produkt der 600 V-DTMOS-VI Reihe ist der TK055U60Z1, der auf TOSHIBAs Prozessgeneration mit einer Superjunction-Struktur basiert.
Der MOSFET eignet sich besonders gut für schnell schaltende Anwendungen wie DC-DC-Wandler, Schaltnetzteile, PFC-Schaltungen und Photovoltaik-Inverter.
Folgende 5 Vorteile bietet Ihnen die neue Serie:
- Verbesserter Leistungsparameter RDS(ON)
Der neue MOSFET weist einen RDS(on) von nur 55 mΩ auf – eine Verbesserung von 13 % gegenüber ähnlichen Bauelementen der etablierten DTMOS-IV-H-Serie. - Steigerung der Leistungsfähigkeit (FOM)
Die Güte RDS(on) x Qgd (FOM) wurde um etwa 52 % verbessert. Diese Kennzahl weist auf eine deutlich gesteigerte Gesamtleistungsfähigkeit in Leistungsschaltungen hin. - Optimierte Ansteuerung über Kelvin-Source Pin
Das TOLL-Gehäuse des MOSFETs verfügt über einen eigenen Kelvin-Source Pin für das Ansteuersignal. Dies eliminiert die Auswirkungen der parasitären Induktivität des Leistungskreises, reduziert Schwingungen und erhöht die Schaltgeschwindigkeit. In modernen, schnell schaltenden Anwendungen führt dies zu einem erheblichen Wirkungsgradgewinn. - Verbesserte Zuverlässigkeit im Lötprozess
Die Ausformung der Anschluss-Pins in Form einer Hohlkehle ermöglicht einen sicheren Lötprozess und erhöht die Zuverlässigkeit der Verbindung. Die visuelle Inspektion wird erleichtert, was zu einer besseren Qualitätskontrolle beiträgt. - Zukünftige Erweiterungen im Line-Up
TOSHIBA plant das Line-Up der 600 V und 650 V DTMOS-VI-Serie weiter auszubauen.
So profitieren auch Ihre künftigen Projekte von einer verbesserten Energieeffizienz.
Hier finden Sie das technische Datenblatt zum Download.
Der TK055U60Z1 ist ab sofort verfügbar, bestellen Sie heute noch Muster für Ihre Entwicklung.