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MITSUBISHI SiC MOSFET Module –
Upgrade im gleichen NX-Layout für den schnellen Umstieg

Stromversorgungssysteme, Energiespeicher, Motor- und Industrieantriebe, Photovoltaik Wechselrichter, Ladeinfrastruktur für E-Fahrzeuge:

Die MITSUBISHI NX-Module (122 × 62 mm) sind weltweit in vielen leistungsintensiven Anwendungen erfolgreich im Einsatz. Das NX-Gehäuse gilt als industrieller Standard für robuste, zuverlässige und thermisch optimierte Leistungsmodule.

Als Entwickler profitieren Sie hier ab sofort von den Vorteilen der SiC-Technologie.

MITSUBISHI gestaltet Ihnen den Umstieg einfach im 1:1 Austausch ohne Layout-Änderungen:

• Spürbar höherer Effizienz:
  Die planare G2A-SiC-Generation senkt Schalt- und Leitverluste drastisch. Dadurch reduzieren sich Wärmeentwicklung und Energieverbrauch – ein direkter Vorteil für kompakte Bauformen und geringere Betriebskosten.

• Schnellere Schaltvorgänge für anspruchsvolle Designs:
  Nur 9 nH parasitäre Induktivität ermöglichen präzise, hochfrequente Schaltvorgänge mit stabilen EMV-Verhältnissen. Ideal für medizinische Stromversorgungen, in denen Signalreinheit und Störfestigkeit unverzichtbar sind.
  
  
• Mehr Leistung auf weniger Raum:
  Mit 1200 V und 1700 V bei jeweils 600 A lassen sich UPS-Systeme, Energiespeicher und Motorantriebe deutlich kompakter und leistungsstärker realisieren. Auch Kühlsysteme können kleiner ausfallen – die Effizienz der SiC-Technologie macht’s möglich.
  
  
• Längere Lebensdauer & hohe Robustheit:
  MITSUBISHIs weiterentwickelte Gate-Oxid-Technologie steigert die Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb. Für Entwickler bedeutet das: höhere Ausfallsicherheit, geringere Wartungskosten und ein System, das Langlebigkeit ausgelegt ist.

Warum hier auf SiC setzen?
Weil der technologische Schritt deutliche und messbare Vorteile liefert:

• Weniger Verluste = mehr Ausbeute pro Watt
• Weniger Hitze = kleinere, günstigere Kühlsysteme
• Schnelleres Schalten = höhere Leistungsdichte
• Mehr Zuverlässigkeit = langfristige Sicherheit

Technische Zusammenfassung und Bewertung:

SiC-Technologie ermöglicht Lösungen, die mit Silizium nicht mehr erreichbar sind. Die aktuelle planare SiC-MOSFET-Generation (G2A) überzeugt mit besonders niedrigen Schalt- und Leitverlusten. Dank eines optimierten Modulaufbaus mit nur 9 nH parasitärer Induktivität lassen sich selbst anspruchsvolle, hochfrequente Designs zuverlässig und stabil realisieren. Das ist insbesondere für Anwendungen wie medizinische Stromversorgungen von Vorteil, bei denen präzise Schaltvorgänge und saubere EMV-Verhältnisse entscheidend sind.

Auch in UPS-Systemen, Energiespeichern und Motorantrieben ermöglichen die Module kompaktere Designs, höhere Ausgangsleistungen und effizientere Kühlsysteme. Zudem setzt Mitsubishi bei der Gate-Oxid-Technologie auf eine weiterentwickelte Materialqualität, die die langfristige Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb deutlich erhöht – ein entscheidender Faktor für Entwickler, die auf hohe Lebensdauer und robuste Systeme angewiesen sind.

Zusätzliche technische Informationen erhalten Sie über folgende Links:

• Datenblatt 1200V / 600A: FMF600DXE-24BN
• Datenblatt 1700V / 600A: FMF600DXE-34BN
• Application Note: Industrial Full SiC Power Module

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